Molecular beam epitaxy growth and characterization of GaN, AlN and AlGaN/GaN heterostructures
Molecular beam epitaxy growth and characterization of GaN, AlN and AlGaN/GaN heterostructures
Tallennettuna:
| Ulkoasu |
xiv, 97, [72] sivua : diagr., tab |
|---|---|
| Kieli |
englanti |
| Alkuteoksen kieli |
englanti |
| Julkaisija |
Göteborg :
Chalmers University of Technology. Dept. of Microtechnology and Nanoscience. Microwave Electronics Laboratory,
2005.
|
| Opinnäyte | Väitöskirja : CTH Göteborg |
| Sarja | Technical report MC2, ISSN 1652-0769; 44. Doktorsavhandlingar vid Chalmers tekniska högskola, N.S, ISSN 0346-718X; 2343. |
| Luokitus | |
| Aiheet | |
| Lisätiedot | Stefan Davidsson |
| ISBN |
91-7291-661-3 |
| Hae kokoteksti | |