Thermal atomic level etching of Al2O3, HfO2, TiN and SiGe
Thermal atomic level etching of Al2O3, HfO2, TiN and SiGe
Tallennettuna:
| Genre | |
|---|---|
| Ulkoasu |
1 verkkoaineisto (xiv, 79 sivua) : kuvitettu |
| Kieli |
englanti |
| Alkuteoksen kieli |
englanti |
| Huomautukset |
Artikkeliväitöskirjan yhteenveto-osa. |
| Julkaisija |
Helsinki :
University of Helsinki,
2023.
|
| Opinnäyte | Väitöskirja : Helsingin yliopisto, matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta, 2023 |
| Luokitus | |
| Aiheet | |
| Lisätiedot | Varun Sharma |
| Painettu |
978-951-51-8997-4 |
| Saavutettavuus |
tekstiin perustuva |
| ISBN |
978-951-51-8998-1 PDF |
| Pääsy | Aineisto on vapaasti saatavissa |
| Hae kokoteksti | |