Computational study of isovalent group-V impurity doping and native point defects of III-V compound semiconductors
Computational study of isovalent group-V impurity doping and native point defects of III-V compound semiconductors
Tallennettuna:
| Genre | |
|---|---|
| Ulkoasu |
48, [36] sivua : kuvitettu ; 25 cm Julkaistu myös verkkoaineistona |
| Kieli |
englanti |
| Alkuteoksen kieli |
englanti |
| Tiivistelmän kieli |
suomi |
| Huomautukset |
Artikkeliväitöskirjan yhteenveto-osa ja 4 eripainosta. |
| Julkaisija |
Espoo :
Aalto University, School of Science, Applied Physics, COMP,
2014
|
| Opinnäyte | Väitöskirja : Helsinki : Aalto-yliopiston perustieteiden korkeakoulu, teknillisen fysiikan laitos, 2014 |
| Sarja | Aalto University publication series, Doctoral dissertations, ISSN 1799-4934; 13/2014. |
| Luokitus | |
| Aiheet | |
| Valmistaja | (Helsinki : Unigrafia) |
| Lisätiedot | Ville Virkkala |
| Verkkoaineisto (PDF) |
978-952-60-5547-3 |
| ISBN |
978-952-60-5546-6 nidottu |
| Hae kokoteksti | |