Computational study of isovalent group-V impurity doping and native point defects of III-V compound semiconductors
Computational study of isovalent group-V impurity doping and native point defects of III-V compound semiconductors
Tallennettuna:
Genre | |
---|---|
Ulkoasu |
48, [36] sivua : kuvitettu ; 25 cm Julkaistu myös verkkoaineistona |
Kieli |
englanti |
Tiivistelmän kieli |
suomi |
Huomautukset |
Artikkeliväitöskirjan yhteenveto-osa ja 4 eripainosta. |
Julkaisija |
Espoo :
Aalto University, School of Science, Applied Physics, COMP,
2014
|
Opinnäyte | Väitöskirja : Helsinki : Aalto-yliopiston perustieteiden korkeakoulu, teknillisen fysiikan laitos, 2014 |
Sarja | Aalto University publication series, Doctoral dissertations, ISSN 1799-4934; 13/2014. |
Luokitus | |
Aiheet | |
Valmistaja | (Helsinki : Unigrafia) |
Lisätiedot | Ville Virkkala |
Verkkoaineisto (PDF) |
978-952-60-5547-3 |
ISBN |
978-952-60-5546-6 nidottu |
Hae kokoteksti |