Development of instrumentation and methods for positron spectroscopy of defects in semiconductors
Development of instrumentation and methods for positron spectroscopy of defects in semiconductors
Tallennettuna:
| Genre | |
|---|---|
| Ulkoasu |
iv, 31, [57] sivua : kuvitettu ; 25 cm |
| Kieli |
englanti |
| Alkuteoksen kieli |
englanti |
| Huomautukset |
Artikkeliväitöskirjan yhteenveto-osa ja 6 eripainosta. |
| Julkaisija |
Espoo :
Helsinki University of Technology,
2001
|
| Opinnäyte | Väitöskirja Espoo : Teknillinen korkeakoulu |
| Sarja | Dissertation / Laboratory of Physics, Helsinki University of Technology, ISSN 1455-1802; 113. |
| Luokitus | |
| Valmistaja | (Otamedia) |
| Lisätiedot | Jaani Nissilä |
| ISBN |
951-22-5467-0 nidottu 951-22-5468-9 verkkoaineisto |
| Hae kokoteksti | |