Development of instrumentation and methods for positron spectroscopy of defects in semiconductors
Development of instrumentation and methods for positron spectroscopy of defects in semiconductors
Tallennettuna:
Genre | |
---|---|
Ulkoasu |
iv, 31, [57] sivua : kuvitettu ; 25 cm |
Kieli |
englanti |
Alkuteoksen kieli |
englanti |
Huomautukset |
Artikkeliväitöskirjan yhteenveto-osa ja 6 eripainosta. |
Julkaisija |
Espoo :
Helsinki University of Technology,
2001
|
Opinnäyte | Väitöskirja Espoo : Teknillinen korkeakoulu |
Sarja | Dissertation / Laboratory of Physics, Helsinki University of Technology, ISSN 1455-1802; 113. |
Luokitus | |
Valmistaja | (Otamedia) |
Lisätiedot | Jaani Nissilä |
ISBN |
951-22-5467-0 nidottu 951-22-5468-9 verkkoaineisto |
Hae kokoteksti |