Higher order diffusion model for a bipolar transistor
Finna-arvio
Higher order diffusion model for a bipolar transistor
Tallennettuna:
Ulkoasu |
[2], 16 sivua : kuvitettu ; 25 cm |
---|---|
Kieli |
englanti |
Alkuteoksen kieli |
englanti |
Huomautukset |
Abstract nimiösivulla. |
Julkaisija |
Espoo :
Helsinki University of Technology,
1989.
|
Sarja | Report / Helsinki University of Technology. Faculty of Electrical Engineering. Electronic Circuit Design Laboratory, ISSN 0783-9448; 13 |
Luokitus | |
Lisätiedot | Kari Lehtinen |
ISBN |
951-22-0030-9 nidottu |
Hae kokoteksti |