Advancing the fundamentals in molecular beam epitaxy of GaAs-based nanowires
Finna-recension
Advancing the fundamentals in molecular beam epitaxy of GaAs-based nanowires
Linkki verkkoaineistoon
Yhteenveto-osa ja neljä eripainosta
Hämta fulltext
Sparad:
Fysisk beskrivning |
xvi, 76 sivua, 67 sivua useina numerointijaksoina : kuvitettu |
---|---|
Språk |
engelska |
Originalverkets språk |
engelska |
Språk i abstract |
eng fin |
Beskrivning |
Artikkeliväitöskirjan yhteenveto-osa ja 5 eripainosta. |
Förlag |
[Tampere] :
Tampere University,
[2020]
|
Serie | Tampere University dissertations, ISSN 2489-9860; 339. |
Klassifikation | |
Ämnen | |
Tillverkare | Vantaa : PunaMusta Oy - Yliopistopaino |
Mer information | Eero Koivusalo |
Verkkoaineisto (yhteenveto-osa ja neljä eripainosta) |
978-952-03-1761-4 |
ISBN |
978-952-03-1760-7 nidottu |
Hämta fulltext |